navigation
hledat
Rozdíly
Zde můžete vidět rozdíly mezi vybranou verzí a aktuální verzí dané stránky.
|
courses:a4m34isc:vypracovaneotazky [2015/06/08 19:36] jirkamat [53. Charakterizujte Plánování rozložení čipu (Floorplanning).] |
courses:a4m34isc:vypracovaneotazky [2025/01/03 18:29] (aktuální) |
||
|---|---|---|---|
| Řádek 71: | Řádek 71: | ||
| ==== 10. Nakreslete řez tranzistorem PMOS s jámou N i s kontaktem na jámu, nakreslete výstupní charakteristiky, vyznačte lineární a saturační oblast. ==== | ==== 10. Nakreslete řez tranzistorem PMOS s jámou N i s kontaktem na jámu, nakreslete výstupní charakteristiky, vyznačte lineární a saturační oblast. ==== | ||
| {{:courses:a4m34isc:mosfet_p_struktura.jpg|}}{{:courses:a4m34isc:struktura_vysvetlivky.jpg|}} | {{:courses:a4m34isc:mosfet_p_struktura.jpg|}}{{:courses:a4m34isc:struktura_vysvetlivky.jpg|}} | ||
| - | {{:courses:a4m34isc:outp_har.png|}} | + | {{:courses:a4m34isc:outp_har.png?500|}} |
| výstupní charakteristiky PMOS jsou analogické k NMOS, jen mají záporné hodnoty. | výstupní charakteristiky PMOS jsou analogické k NMOS, jen mají záporné hodnoty. | ||
| Řádek 373: | Řádek 373: | ||
| ==== 77. Nakreslete layout dvoustopého hradla NOR v CMOS technologii. ==== | ==== 77. Nakreslete layout dvoustopého hradla NOR v CMOS technologii. ==== | ||
| - | + | http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/aa/NOR_gate_layout.png | |
| ==== 78. Jak se postupuje při výrobě masek pro optickou litografii? ==== | ==== 78. Jak se postupuje při výrobě masek pro optickou litografii? ==== | ||
| Masky pro optickou litografii mívají 8 vrstev, které se tvoří postupně: | Masky pro optickou litografii mívají 8 vrstev, které se tvoří postupně: | ||
